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G3VM-31HR1光敏半导体实际焊盘尺寸OMRON
更新时间:2020-09-15      阅读:923

SOP6针封装,实现与机械式继电器相当的低导通电阻、高容量开关的光敏半导体MOS FET

  • 连续负载电流(大) 4.5A(9A)*
    * C连接时的值为()中的值。

 LED顺电压 VF 规定顺电流值下的LED阳极、阴极间电压降 逆电流 IR 流向LED反方向(阴极、阳极间)的漏电流 (输入侧)端子间容量 CT LED阳子、阴子间的静电容量 触发LED顺电流 IFT 使输出MOS FET进入ON状态时所需输入电流IF的小值 复位电流 IFC 为保持输出MOS FET处于OFF状态而流动的电流(漏电流等)IF的大值 大输出导通电阻 RON 规定的导通状态下继电器输出端子间的电阻值 开路时漏电流

ILeak OFF状态下流向继电器输出端子间的漏电流 (输出侧)端子间容量 COFF 继电器输出端子间的静电容量 输入输出间容量 CI-O 输入端子―输出端子间的静电容量 输出输入间容量绝缘电阻 RI-O 规定电压值下输入端子―输出端子间的电阻值 动作时间 tON 1a型:输入OFF→ON时至输出波形由100%变为10%所需的时间 1b型:输入ON→OFF时至输出波形由100%变为10%所需的时间 复位时间 tOFF 1a型:输入ON→OFF时至输出波形由0%变为90%所需的时间 1b型:输入OFF→ON时至输出波形由0%变为90%所需的时间

外形尺寸

(单位 : mm)

※标记内容与实际商品有所不同。

G3VM-31HR1

  • 表面安装端子

    (重量:0.13g)

    表面安装端子
  • 实际焊盘尺寸

    (推荐值 TOP View)

    实际焊盘尺寸端子配置/内部接线图

    (Top View)

    端子配置/内部接线图

 

额定 / 性能

(Ta = 25°C)

项目符号定值单位条件


LED正向电流IF30mA 
直流正向电流降低比率ΔIF/ºC-0.3mA/ºCTa≥25ºC
LED反向电压VR6V 
粘合部位温度TJ125ºC 


负载电压(峰值AC/DC)VOFF30V 
连续负载电流A连接IO4500mAA连接:峰值AC/DC
B、C连接:DC
B连接
C连接9000
导通电流降低 比率A连接ΔIO/ºC-45mA/ºCTa≥25ºC
B连接
C连接-90
脉冲导通电流Iop13.5At=100ms, Duty=1/10
粘合部位温度TJ125ºC 
输入输出间耐电压∗1VI-O1500VrmsAC持续1分钟
使用环境温度Ta-40~+110ºC无结冰、无凝露
保存温度Tstg-55~+125ºC
焊接温度条件 260ºC10s

1.

测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。连接示例

A连接A连接
B连接B连接
C连接C连接

电气性能

(Ta = 25°C)

项目符号标准单位条件


LED正向电压VF1.501.651.80VIF=10mA
反向电流IR------10µAVR=5V
端子间电容CT---70---pFV=0、f=1MHz
触发LED正向电流IFT---0.33mAIO=1000mA
复位LED正向电流IFC0.1------mAIOFF=10μA


大输出导通电阻A连接RON---0.022---ΩIF=5mA
IO=4.5A(A、B连接)、
IO=9A(C连接)、
t <1S
B连接---0.011---
C连接---0.006---
A连接------0.03
B连接------0.015
C连接------0.008
开路时漏电流ILEAK------1000nAVOFF=30V
端子间电容COFF---1200---pFV=0、f=1MHz
输入输出间电容CI-O---0.8---pFf=1MHz、VS=0V
输出输入间电容绝缘电阻RI-O1000108---VI-O=500VDC、
RoH≤60%
动作时间tON---0.62msIF=5 mA、
RL=200Ω、
VDD=20V∗2
复位时间tOFF---0.150.5

2.

动作、复位时间

动作、复位时间

 

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